TK42E12N1,S1XS

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TK42E12N1,S1XS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 120 V

连续漏极电流Ids 88A

上升时间 18 ns

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 140 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

TK42E12N1,S1XS引脚图与封装图
TK42E12N1,S1XS引脚图
TK42E12N1,S1XS封装图
TK42E12N1,S1XS封装焊盘图
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型号: TK42E12N1,S1XS
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列,Toshiba ### MOSFET 晶体管,Toshiba

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