W987D6HBGX6I

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W987D6HBGX6I概述

Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, VFBGA-54

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-VFBGA 8x9


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA


W987D6HBGX6I中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间Max 6ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

W987D6HBGX6I引脚图与封装图
W987D6HBGX6I引脚图
W987D6HBGX6I封装图
W987D6HBGX6I封装焊盘图
在线购买W987D6HBGX6I
型号: W987D6HBGX6I
描述:Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, VFBGA-54
替代型号W987D6HBGX6I
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