1N5251C-TAP参数规格_中文资料_数据手册PDF

1N5251C-TAP概述

稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-1N5251B-TAP

Zener Diode 22V 500mW ±5% Through Hole DO-35

得捷:
DIODE ZENER 22V 500MW DO35

贸泽:
稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-1N5251B-TAP

艾睿:
Diode Zener Single 22V 2% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo

安富利:
Diode Zener Single 22V 2% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo

1N5251C-TAP中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 5.6 mA

稳压值 22 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 3.9 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.7 mm

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Ammo Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买1N5251C-TAP

型号： 1N5251C-TAP

描述：稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-1N5251B-TAP

替代型号1N5251C-TAP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
1N5251C-TAP Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
1N5251B-TR 威世	类似代替	1N5251C-TAP和1N5251B-TR的区别
1N5251B-TAP 威世	类似代替	1N5251C-TAP和1N5251B-TAP的区别
1N5251C-TR 威世	类似代替	1N5251C-TAP和1N5251C-TR的区别