1SMA22AT3G

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1SMA22AT3G概述

400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

**400W Zener Transient Voltage Suppressor Unidirectional**

The SMA series of Zener Transient Voltage Suppressors is designed to protect voltage sensitive components from damage caused by high voltage, high energy transients. They have excellent clamping capability with a high 400W surge capability and feature low zener impedance and fast response time.


得捷:
TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMA


贸泽:
TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors 22V 400W Unidirectional


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 22V 400W 2-Pin SMA T/R


Allied Electronics:
1SMA22AT3G; Uni-Directional TVS Diode; 400W; 2-Pin SMA


安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 22V 400W 2-Pin SMA T/R


富昌:
1SMA 系列 26.9 V 400W 单向 功率 齐纳瞬态电压抑制二极管


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 22V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R


Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 22V 400W 2-Pin SMA T/R


Win Source:
TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMA


1SMA22AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 22.0 V

额定功率 400 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 24.4 V

电路数 1

耗散功率 400 W

钳位电压 35.5 V

最大反向电压(Vrrm) 22V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 400 W

最小反向击穿电压 24.4 V

击穿电压 24.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMA

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 2.6 mm

高度 2.2 mm

封装 SMA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买1SMA22AT3G
型号: 1SMA22AT3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向) 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
替代型号1SMA22AT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1SMA22AT3G

ON Semiconductor 安森美

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1SMA22CAT3

安森美

完全替代

1SMA22AT3G和1SMA22CAT3的区别

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完全替代

1SMA22AT3G和1SMA22CAT3G的区别

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安森美

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