










400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
**400W Zener Transient Voltage Suppressor Unidirectional**
The SMA series of Zener Transient Voltage Suppressors is designed to protect voltage sensitive components from damage caused by high voltage, high energy transients. They have excellent clamping capability with a high 400W surge capability and feature low zener impedance and fast response time.
立创商城:
Vrwm:9V 400W
欧时:
### 400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
得捷:
TVS DIODE 9VWM 15.4VC 6TDFN
艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 9V 400W 2-Pin SMA T/R
Allied Electronics:
1SMA9.0AT3G, Uni-Directional TVS Diode, 400W, 2-Pin SMA
富昌:
1SMA 系列 400 W 9 V 单向 功率 齐纳 TVS 二极管 - DO-214AC
Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 9V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R
Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 9V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR 1SMA9.0AT3G TVS Diode, 1SMA Series, Unidirectional, 9 V, 15.4 V, DO-214AC, 2 Pins
罗切斯特:
Diode TVS Single Uni-Dir 9V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R
Win Source:
TVS DIODE 9VWM 15.4VC SMA
工作电压 9 V
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 10 V
电路数 1
钳位电压 15.4 V
最大反向电压(Vrrm) 9V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 11.1 V
脉冲峰值功率 400 W
最小反向击穿电压 10 V
击穿电压 10 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMA
长度 4.57 mm
宽度 2.92 mm
高度 2.2 mm
封装 SMA
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
1SMA9.0AT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
1SMA9.0AT3 安森美 | 类似代替 | 1SMA9.0AT3G和1SMA9.0AT3的区别 |
SM6T150A 意法半导体 | 功能相似 | 1SMA9.0AT3G和SM6T150A的区别 |
P6SMB200A 力特 | 功能相似 | 1SMA9.0AT3G和P6SMB200A的区别 |