




瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
32.4V Clamp 18.5A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB
得捷:
TVS DIODE 20VWM 32.4VC SMB
艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 20V 600W 2-Pin SMB T/R
Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 20V 600W 2-Pin SMB T/R
Verical:
Diode TVS Single Bi-Dir 20V 600W 2-Pin SMB T/R
罗切斯特:
Diode TVS Single Bi-Dir 20V 600W 2-Pin SMB T/R
额定电压DC 20.0 V
额定功率 600 W
击穿电压 23.4 V
钳位电压 32.4 V
最大反向电压(Vrrm) 20V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 22.2 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMB
长度 4.57 mm
宽度 3.81 mm
高度 2.41 mm
封装 SMB
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
1SMB20CAT3 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
1SMB20CAT3G 安森美 | 类似代替 | 1SMB20CAT3和1SMB20CAT3G的区别 |
SMBJ20CA-TR 意法半导体 | 功能相似 | 1SMB20CAT3和SMBJ20CA-TR的区别 |
SMBJ20CA-13-F 美台 | 功能相似 | 1SMB20CAT3和SMBJ20CA-13-F的区别 |