RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, 55ST-1, 2Pin
RF NPN 65V 15A 1.2GHz ~ 1.4GHz 320W 底座安装 55ST-1
得捷: RF TRANS NPN 65V 1.4GHZ 55ST-1
艾睿: RF POWER TRANSISTOR
击穿电压集电极-发射极 65 V
增益 7.15dB ~ 8.7dB
最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 5V
额定功率Max 320 W
安装方式 Chassis
封装 55ST-1
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册