1N4112

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1N4112概述

低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS

1N4099-1 THRU 1N4135-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS

PER MIL-PRF-19500/435

LOW CURRENT OPERATION AT 250 µ A

LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS

METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C

Power Derating: 4 mW / °C above +50°C

Forward Voltage at 200 mA: 1.1 Volts maximum


艾睿:
Zener Diode Single 18V 5% 100Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag


Verical:
Zener Diode Single 18V 5% 100Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag


1N4112中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.5 W

测试电流 0.25 mA

稳压值 18 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买1N4112
型号: 1N4112
描述:低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS
替代型号1N4112
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1N4112

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTXV1N4112-1

美高森美

完全替代

1N4112和JANTXV1N4112-1的区别

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美微科

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