1N4112和JANTXV1N4112-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4112 JANTXV1N4112-1 1N4112LEADFREE

描述 低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODESZener Diode, 18V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35-2 -

耗散功率 0.5 W 0.5 W -

测试电流 0.25 mA 0.25 mA -

稳压值 18 V 18 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-35-2 -

长度 - 5.08 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

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