2N6109G

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2N6109G概述

ON SEMICONDUCTOR  2N6109G.  双极晶体管

PNP 功率,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 50V 7A TO220


欧时:
ON Semiconductor 2N6109G , PNP 晶体管, 7 A, Vce=50 V, HFE:2.3, 1 MHz, 3引脚 TO-220AB封装


立创商城:
PNP 50V 7A


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 7A 50V 40W PNP


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 10 MHz, 40 W, -7 A, 10 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 7A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
ON Semi 2N6109G PNP Bipolar Transistor, 7 A, 50 V, 4-Pin TO-220AB


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 7A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2N6109G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 50 V, 10 MHz, 40 W, -7 A, 10 hFE


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 50V 7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Win Source:
TRANS PNP 50V 7A TO220AB


2N6109G中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

额定电压DC -50.0 V

额定电流 7.00 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

热阻 3.125℃/W RθJC

集电极最大允许电流 7A

最小电流放大倍数hFE 30 @2.5A, 4V

最大电流放大倍数hFE 150

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2N6109G引脚图与封装图
2N6109G引脚图
2N6109G封装焊盘图
在线购买2N6109G
型号: 2N6109G
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N6109G.  双极晶体管
替代型号2N6109G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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2N6109

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