











ON SEMICONDUCTOR 2N5401G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 150 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE
小信号 PNP ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP 150V 0.6A TO92
欧时:
ON Semiconductor 2N5401G , PNP 双极晶体管, 600 mA, Vce=150 V, HFE:50, 300 MHz, 3引脚 TO-92封装
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR 2N5401G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 150 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 Box
Allied Electronics:
SS T092 GP XSTR PNP 150V -LEAD FREE
安富利:
This PNP Bipolar Transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk
TME:
Transistor: PNP; bipolar; 160V; 600mA; 350mW; TO92
Verical:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk
罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk
频率 100 MHz
额定电压DC -150 V
额定电流 -600 mA
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
热阻 83.3℃/W RθJC
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
制造应用 Industrial, 消费电子产品, 工业, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N5401G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5401RLRAG 安森美 | 类似代替 | 2N5401G和2N5401RLRAG的区别 |
2N5401 安森美 | 类似代替 | 2N5401G和2N5401的区别 |
2N5401RLRA 安森美 | 类似代替 | 2N5401G和2N5401RLRA的区别 |