2N5401G

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2N5401G概述

ON SEMICONDUCTOR  2N5401G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 150 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE

小信号 PNP ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 150V 0.6A TO92


欧时:
ON Semiconductor 2N5401G , PNP 双极晶体管, 600 mA, Vce=150 V, HFE:50, 300 MHz, 3引脚 TO-92封装


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  2N5401G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 150 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 Box


Allied Electronics:
SS T092 GP XSTR PNP 150V -LEAD FREE


安富利:
This PNP Bipolar Transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 160V; 600mA; 350mW; TO92


Verical:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk


2N5401G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -150 V

额定电流 -600 mA

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 150 V

热阻 83.3℃/W RθJC

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

制造应用 Industrial, 消费电子产品, 工业, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2N5401G引脚图与封装图
2N5401G引脚图
2N5401G封装图
2N5401G封装焊盘图
在线购买2N5401G
型号: 2N5401G
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N5401G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 150 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE
替代型号2N5401G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5401G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

2N5401RLRAG

安森美

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2N5401G和2N5401RLRAG的区别

2N5401

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2N5401RLRA

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