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2N918图片1

2N918中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300 mW

增益频宽积 600 MHz

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 20 @3mA, 1V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-72-3

外形尺寸

长度 5.84 mm

宽度 5.84 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-72-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N918

型号： 2N918

制造商： Central Semiconductor

描述：NPN 15 V 50 mA 通孔硅 RF 晶体管 - TO-72

替代型号2N918

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2N918 Central Semiconductor	当前型号	当前型号
JANTXV2N918 美高森美	功能相似	2N918和JANTXV2N918的区别
JAN2N918 Semicoa Semiconductor	功能相似	2N918和JAN2N918的区别
JANS2N918 美高森美	功能相似	2N918和JANS2N918的区别