2SC5226A-5-TL-E

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2SC5226A-5-TL-E概述

ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

2SC5226A is RF Transistor, 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP for VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications.

Features

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Low-noise : NF=1.0dB typ f=1GHz
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High gain Forward Transfer Gain: 12dB typ at f=1.0GHz
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High cut-off frequency : fT=7GHz typ

得捷:
RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP


立创商城:
2SC5226A-5-TL-E


欧时:
### 射频双极晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 150mW 3-Pin SC-70 T/R


Allied Electronics:
ON Semi 2SC5226A-5-TL-E NPN RF Bipolar Transistor, 0.07 A, 10 V, 3-Pin MCP


安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin MCP T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 150mW 3-Pin SC-70 T/R


Win Source:
TRANS NPN BIPO VHF-UHF MCP


2SC5226A-5-TL-E中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 12 dB

最小电流放大倍数hFE 135 @20mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 270

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-323

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2SC5226A-5-TL-E
型号: 2SC5226A-5-TL-E
描述:ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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