FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002MTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 V
增强模式 N 通道 MOSFET， Semiconductor
增强模式场效应 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
额定电压DC 60.0 V
额定电流 115 mA
针脚数 3
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N7002MTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002 飞兆/仙童 | 类似代替 | 2N7002MTF和2N7002的区别 |
2N7002LT1G 安森美 | 功能相似 | 2N7002MTF和2N7002LT1G的区别 |
2N7002-7-F 美台 | 功能相似 | 2N7002MTF和2N7002-7-F的区别 |