2N5485中文资料参数规格
技术参数
频率 400 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 10 mA
击穿电压 25.0 V
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
输入电容 5.00 pF
漏源极电压Vds 25.0 V
栅源击穿电压 25.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 mA
击穿电压 25 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 25 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
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替代型号2N5485
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N5485 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5485-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | 2N5485和2N5485-E3的区别 |