25C080-I/P

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25C080-I/P概述

25AA080/25C080/25LC080 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA080/25C080/25LC080 系列设备为 8K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大写入电流 3 mA 读取电流:500 μA(典型) 待机电流:500 nA(典型) 1024 x 8 位组织 16 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip

25AA080/25C080/25LC080 SPI 串行 EEPROM

的 25AA080/25C080/25LC080 系列设备为 8K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。

使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。

### 特点

最大写入电流 3 mA

读取电流:500 μA(典型)

待机电流:500 nA(典型)

1024 x 8 位组织

16 字节页面

自定时擦除和写入周期,5ms(最大)

块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列

内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚

顺序读取

耐受性:>1M 擦除/写入周期

数据保留:>200 年

ESD 保护:>4000V

### EEPROM 串行存取 - Microchip

25C080-I/P中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

供电电流 5 mA

时钟频率 3 MHz

存取时间 150 ns

内存容量 1000 B

存取时间Max 150 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP-8

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 0.28 in

高度 4.95 mm

封装 PDIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

25C080-I/P引脚图与封装图
25C080-I/P引脚图
25C080-I/P封装图
25C080-I/P封装焊盘图
在线购买25C080-I/P
型号: 25C080-I/P
制造商: Microchip 微芯
描述:25AA080/25C080/25LC080 SPI 串行 EEPROM Microchip 的 25AA080/25C080/25LC080 系列设备为 8K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。 ### 特点 最大写入电流 3 mA 读取电流:500 μA(典型) 待机电流:500 nA(典型) 1024 x 8 位组织 16 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip

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