2N5550G参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N5550G概述

ON SEMICONDUCTOR 2N5550G. 单晶体管双极, 通用, NPN, 140 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 60 hFE

小信号 NPN ，

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

2N5550G中文资料参数规格

技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 140 V

额定电流 600 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 140 V

热阻 83.3℃/W RθJC

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2N5550G引脚图与封装图

在线购买2N5550G

型号： 2N5550G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR 2N5550G. 单晶体管双极, 通用, NPN, 140 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 60 hFE

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