2N7002_S00Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 115 mA
通道数 1
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 115 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号2N7002_S00Z
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N7002_S00Z Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002-TP 美微科 | 功能相似 | 2N7002_S00Z和2N7002-TP的区别 |
2N7002-T1-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | 2N7002_S00Z和2N7002-T1-E3的区别 |