PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
小信号 PNP ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP 50V 0.15A 3CP
欧时:
ON Semiconductor 2SA1179N6-TB-E , PNP 晶体管, 150 mA, Vce=50 V, HFE:200, 180 MHz, 3引脚 CPA封装
艾睿:
Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this PNP 2SA1179N6-TB-E GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
Allied Electronics:
ON Semi 2SA1179N6-TB-E PNP Bipolar Transistor, 0.15 A, 50 V, 3-Pin CPA
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS PNP 50V 0.15A CP
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 135 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.93 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SA1179N6-TB-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |