ON SEMICONDUCTOR 2N7000G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V
N 通道功率 MOSFET，60V，
得捷:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7000G, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
贸泽:
MOSFET 60V 200mA N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin TO-92 Box
Allied Electronics:
MOSFET; N-Ch; VDSS 60VDC; RDSON 5 Ohms; ID 200mA; TO-92 TO-226; PD 350mW; -55degc
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; 400mW; TO92
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin TO-92 Box
罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
力源芯城:
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
额定电压DC 60.0 V
额定电流 200 mA
额定功率 400 mW
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 3 V
输入电容 60 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
输入电容Ciss 60pF @25VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Automotive, Power Management, Industrial, 车用, Power Management, 电源管理, Automotive, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N7000G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7000RLRAG 安森美 | 类似代替 | 2N7000G和2N7000RLRAG的区别 |
2N7000RLRA 安森美 | 类似代替 | 2N7000G和2N7000RLRA的区别 |
2N7000RLRMG 安森美 | 类似代替 | 2N7000G和2N7000RLRMG的区别 |