2SC5095-OTE85L,F

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2SC5095-OTE85L,F概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Radio-Freq Bipolar 15mA 100mW 10V

With this RF amplifier from your circuit will be operating at high RF frequencies. This RF transistor has a maximum operating temperature of 125 °C.


得捷:
RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Radio-Freq Bipolar 15mA 100mW 10V


艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.015A 100mW 3-Pin USM T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3-Pin USM T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3-Pin USM T/R


Win Source:
TRANSISTOR NPN MM-USM


2SC5095-OTE85L,F中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 13dB ~ 7dB

最小电流放大倍数hFE 80 @7mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2SC5095-OTE85L,F
型号: 2SC5095-OTE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Radio-Freq Bipolar 15mA 100mW 10V

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