PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
PNP 功率,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP 50V 3A PCP
立创商城:
PNP 50V 2A
欧时:
ON Semiconductor 2SB1124T-TD-E , PNP 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:35, 150 MHz, 3引脚 PCP封装
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 150 MHz, 500 mW, -3 A, 200 hFE
艾睿:
If you require a general purpose BJT that can handle high voltages, then the PNP 2SB1124T-TD-E BJT, developed by ON Semiconductor, is for you. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Allied Electronics:
ON Semi 2SB1124T-TD-E PNP Bipolar Transistor, 3 A, 50 V, 3-Pin PCP
安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 3A 4-Pin3+Tab PCP T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 3A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Win Source:
TRANS PNP 50V 3A PCP
频率 150 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SB1124T-TD-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SA2125-TD-E 安森美 | 类似代替 | 2SB1124T-TD-E和2SA2125-TD-E的区别 |
2SA2125-TD-H 安森美 | 功能相似 | 2SB1124T-TD-E和2SA2125-TD-H的区别 |
2SB1124T-TD-H 安森美 | 功能相似 | 2SB1124T-TD-E和2SB1124T-TD-H的区别 |