2SD1207S-AE

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2SD1207S-AE概述

PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

通用 PNP ,超过 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 50V 2A 3MP


欧时:
ON Semiconductor 2SD1207S-AE , NPN 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:100, 1 MHz, 3引脚 MP封装


艾睿:
Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN 2SD1207S-AE GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.


Allied Electronics:
ON Semi 2SD1207S-AE NPN Bipolar Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin MP


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW Automotive 3-Pin Case MP T/R


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin Case MP T/R


Win Source:
TRANS NPN 50V 2A 3MP


2SD1207S-AE中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 4.7 mm

高度 8.5 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1207S-AE
型号: 2SD1207S-AE
描述:PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
替代型号2SD1207S-AE
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SD1207S-AE

ON Semiconductor 安森美

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