PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
通用 PNP ,超过 1A,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN 50V 2A 3MP
欧时:
ON Semiconductor 2SD1207S-AE , NPN 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:100, 1 MHz, 3引脚 MP封装
艾睿:
Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN 2SD1207S-AE GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.
Allied Electronics:
ON Semi 2SD1207S-AE NPN Bipolar Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin MP
Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW Automotive 3-Pin Case MP T/R
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin Case MP T/R
Win Source:
TRANS NPN 50V 2A 3MP
频率 150 MHz
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 6 mm
宽度 4.7 mm
高度 8.5 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SD1207S-AE ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |