2SC5569-TD-E

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2SC5569-TD-E概述

PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

通用 PNP ,超过 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor 2SC5569-TD-E , NPN 晶体管, 7 A, Vce=50 V, HFE:200, 330 MHz, 3引脚 PCP封装


得捷:
TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1


立创商城:
2SC5569-TD-E


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 330 MHz, 3.5 W, 7 A, 200 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Allied Electronics:
ON Semi 2SC5569-TD-E NPN Bipolar Transistor; 7 A; 50 V; 3-Pin PCP


安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 7A 4-Pin3+Tab PCP T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 7A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Win Source:
TRANS NPN 50V 7A SOT89-3


2SC5569-TD-E中文资料参数规格
技术参数

频率 330 MHz

针脚数 3

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 1.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 7A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

额定功率Max 1.3 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2SC5569-TD-E
型号: 2SC5569-TD-E
描述:PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

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