PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
通用 PNP ,超过 1A,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor 2SC5569-TD-E , NPN 晶体管, 7 A, Vce=50 V, HFE:200, 330 MHz, 3引脚 PCP封装
得捷:
TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
立创商城:
2SC5569-TD-E
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 330 MHz, 3.5 W, 7 A, 200 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Allied Electronics:
ON Semi 2SC5569-TD-E NPN Bipolar Transistor; 7 A; 50 V; 3-Pin PCP
安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 7A 4-Pin3+Tab PCP T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 7A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Win Source:
TRANS NPN 50V 7A SOT89-3
频率 330 MHz
针脚数 3
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 7A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
额定功率Max 1.3 W
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99