2SD1624T-TD-E

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2SD1624T-TD-E概述

通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

通用 PNP ,超过 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 50V 3A PCP


欧时:
ON Semiconductor 2SD1624T-TD-E , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:35, 150 MHz, 3引脚 PCP封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT HIGH-CURRENT SWITCHING


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Allied Electronics:
ON Semi 2SD1624T-TD-E NPN Bipolar Transistor, 3 A, 50 V, 3-Pin PCP


安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin3+Tab PCP T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin3+Tab PCP T/R


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Win Source:
TRANS NPN 50V 3A PCP


2SD1624T-TD-E中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 560

额定功率Max 500 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-243

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 TO-243

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1624T-TD-E
型号: 2SD1624T-TD-E
描述:通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
替代型号2SD1624T-TD-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SD1624T-TD-E

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当前型号

当前型号

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