2SK2315TYTR-E参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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2SK2315TYTR-E概述

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

N-Channel 60V 2A Ta 1W Ta Surface Mount UPAK

得捷:
MOSFET N-CH 60V 2A UPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin3+Tab UPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK

2SK2315TYTR-E中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 2.00 A

耗散功率 1W Ta

输入电容 173 pF

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

输入电容Ciss 173pF @10VVds

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-243

外形尺寸

封装 TO-243

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SK2315TYTR-E引脚图与封装图

2SK2315TYTR-E引脚图

2SK2315TYTR-E封装图

2SK2315TYTR-E封装焊盘图

在线购买2SK2315TYTR-E

型号： 2SK2315TYTR-E

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

替代型号2SK2315TYTR-E

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2SK2315TYTR-E

Renesas Electronics 瑞萨电子

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2SK2315TYTR-E和2SK2315TYTR的区别

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日立

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