





NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
• High Current Capability: IC= 15A
• High Power Dissipation : 130watts
• High Frequency : 30MHz.
• High Voltage : VCEO=230V
• Wide S.O.A for reliable operation.
• Excellent Gain Linearity for low THD.
• Complement to 2SA1962/FJA4213.
• Thermal and electrical Spice models are available
• Same transistor is also available in:
\--TO264 package, 2SC5200/FJL4315 : 150 watts
\--TO220 package, FJP5200 : 80 watts
\--TO220F package, FJPF5200 : 50 watts
Applications
• High-Fidelity Audio Output Amplifier
• General Purpose Power Amplifier
极性 NPN
耗散功率 130000 mW
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 17A
最小电流放大倍数hFE 55 @1A, 5V
额定功率Max 130 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 130000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
宽度 4.8 mm
高度 19.9 mm
封装 TO-3-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SC5242RTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FJA4313RTU 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2SC5242RTU和FJA4313RTU的区别 |