对比图
描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon TransistorNPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-3-3 TO-3-3
引脚数 3 -
额定电压(DC) - 140 V
额定电流 - 10.0 A
极性 NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V
集电极最大允许电流 17A 17A
最小电流放大倍数(hFE) 55 @1A, 5V 55 @1A, 5V
额定功率(Max) 130 W 130 W
耗散功率 130000 mW -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -50 ℃ -
耗散功率(Max) 130000 mW -
额定功率 - -
封装 TO-3-3 TO-3-3
宽度 4.8 mm -
高度 19.9 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99