2SK1775-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SK1775-E概述

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

通孔 N 通道 8A（Ta） 60W（Tc） TO-3P

得捷:
MOSFET N-CH 900V 8A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-3PFM

安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-3PFM

Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-3PFM

2SK1775-E中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 8A

上升时间 135 ns

输入电容Ciss 1730pF @10VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 130 ns

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SK1775-E引脚图与封装图

在线购买2SK1775-E

型号： 2SK1775-E

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

替代型号2SK1775-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2SK1775-E Renesas Electronics 瑞萨电子	当前型号	当前型号
2SK1775 瑞萨电子	完全替代	2SK1775-E和2SK1775的区别
2SK1153-E 瑞萨电子	功能相似	2SK1775-E和2SK1153-E的区别
2SK1153 日立	功能相似	2SK1775-E和2SK1153的区别