2N5058

2N5058图片1
2N5058中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 mW

增益频宽积 160 MHz

击穿电压集电极-发射极 300 V

最小电流放大倍数hFE 35 @30mA, 25V

额定功率Max 1 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-39-3

外形尺寸

长度 9.4 mm

宽度 9.4 mm

高度 6.6 mm

封装 TO-39-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买2N5058
型号: 2N5058
制造商: Central Semiconductor
描述:Trans GP BJT NPN 300V 0.15A 3Pin TO-39 Box

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