2SD19960SA参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD19960SA概述

MT-1-A1 NPN 20V 0.5A

Bipolar BJT Transistor NPN 20V 500mA 200MHz 600mW Through Hole MT-1-A1

得捷:
TRANS NPN 20V 0.5A MT-1

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin MT-1-A1

2SD19960SA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 300 @500mA, 2V

额定功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 MT-1-A1

外形尺寸

封装 MT-1-A1

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： 2SD19960SA

描述：MT-1-A1 NPN 20V 0.5A