2SD1949T106Q概述
UMT NPN 50V 0.5A
Bipolar BJT Transistor NPN 50V 500mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
得捷:
TRANS NPN 50V 0.5A UMT3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin UMT T/R
Win Source:
TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323
2SD1949T106Q中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120 @10mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD1949T106Q引脚图与封装图 
在线购买2SD1949T106Q