2SD1767T100Q

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2SD1767T100Q概述

MPT NPN 80V 0.7A

- 双极 BJT - 单


得捷:
TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 0.7A


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 4-Pin3+Tab MPT T/R


DeviceMart:
TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89


2SD1767T100Q中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 700 mA

极性 NPN

耗散功率 1 W

增益频宽积 120 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.7A

最小电流放大倍数hFE 120

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-243

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 TO-243

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SD1767T100Q引脚图与封装图
2SD1767T100Q引脚图
2SD1767T100Q封装图
2SD1767T100Q封装焊盘图
在线购买2SD1767T100Q
型号: 2SD1767T100Q
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:MPT NPN 80V 0.7A
替代型号2SD1767T100Q
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SD1767T100Q

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

2SCR514PT100

罗姆半导体

功能相似

2SD1767T100Q和2SCR514PT100的区别

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