2SB1260T100Q

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2SB1260T100Q概述

2SB1260 系列 80 V 1 A 表面贴装 PNP 电源 晶体管 - SC-62

- 双极 BJT - 单 PNP 80 V 1 A 100MHz 2 W 表面贴装型 MPT3


得捷:
TRANS PNP 80V 1A MPT3


立创商城:
PNP 80V 1A


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R


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Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R


儒卓力:
**PNP TRANS.80V HFE120-270 MPT3 **


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 80V 1A SO-89


Win Source:
TRANS PNP 80V 1A SO-89


2SB1260T100Q中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

宽度 2.5 mm

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2SB1260T100Q引脚图与封装图
2SB1260T100Q引脚图
2SB1260T100Q封装图
2SB1260T100Q封装焊盘图
在线购买2SB1260T100Q
型号: 2SB1260T100Q
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:2SB1260 系列 80 V 1 A 表面贴装 PNP 电源 晶体管 - SC-62

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