ROHM 2SD1733TLQ 单晶体管 双极, 高速, NPN, 80 V, 100 MHz, 1 W, 1 A, 120 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 82~180 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| Power Transistor 80V, 1A Features- .
- High VCEO, VCEO = 80V * High IC, IC = 1A DC * Good hFE linearity. * Low VCEsat. structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用| 功率 （80V，1A） 特点 *高VCEO VCEO=80V *高IC IC= 1A（DC） *良好的HFE线性。 *低VCE（SAT）。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
宽度 5.5 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SD1733TLQ ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1733TLR 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SD1733TLQ和2SD1733TLR的区别 |
2SD1733TLP 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SD1733TLQ和2SD1733TLP的区别 |