2SB1412 系列 20 V 5 A 表面贴装 PNP 低频率 晶体管 - SC-63
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 120MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~270 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1000mV/-1V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor Low frequency transistor Features 1 Low VCEsat 2 Excellent DC current gain characteristics. 3 Complements the 2SD2118. 描述与应用| PNP硅外延平面 低频晶体管 特点 1)低VCE(SAT) 2)优秀DC电流增益特性。 3)补充2SD2118。
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -5.00 A
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
宽度 5.5 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SB1412TLQ ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SB873Q 松下 | 功能相似 | 2SB1412TLQ和2SB873Q的区别 |