VMT PNP 20V 0.2A
Bipolar BJT Transistor PNP 20V 200mA 350MHz 150mW Surface Mount VMT3
得捷:
TRANS PNP 20V 0.2A VMT3
艾睿:
Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 3-Pin SOT-723 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
频率 350 MHz
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
封装 SOT-723-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SAR522MT2L ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SAR522EBTL 罗姆半导体 | 完全替代 | 2SAR522MT2L和2SAR522EBTL的区别 |
2SAR522UBTL 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SAR522MT2L和2SAR522UBTL的区别 |