2SD1733TLR参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD1733TLR概述

ROHM 2SD1733TLR 单晶体管双极, 高速, NPN, 80 V, 100 MHz, 1 W, 1 A, 180 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| Power Transistor 80V, 1A Features

.: High VCEO, VCEO = 80V * High IC, IC = 1A DC * Good hFE linearity. * Low VCEsat. structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用| 功率（80V，1A）特点 *高VCEO VCEO=80V *高IC IC= 1A（DC） *良好的HFE线性。 *低VCE（SAT）。结构外延平面型 NPN硅晶体管

2SD1733TLR中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 10 W

直流电流增益hFE 180

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

2SD1733TLR引脚图与封装图

在线购买2SD1733TLR

型号： 2SD1733TLR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：ROHM 2SD1733TLR 单晶体管双极, 高速, NPN, 80 V, 100 MHz, 1 W, 1 A, 180 hFE

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