PNP 功率晶体管，Rohm### 双极晶体管，ROHM Semiconductor
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −10A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~560 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -160mV/-0.16V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1W Description & Applications| Low Vcesat Transistor strobe flash low saturation voltage； high current capacity； complement to 2sc5001 描述与应用| 低VCE（sat）的（闪光灯频闪） 低饱和电压; 高电流能力; 补充2sc5001
频率 150 MHz
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 82
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.7 mm
宽度 5.8 mm
高度 2.5 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
