2N2904A参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N2904A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 600 mW

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 10V

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-39-3

外形尺寸

长度 9.4 mm

宽度 9.4 mm

高度 6.6 mm

封装 TO-39-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N2904A

型号： 2N2904A

制造商： Central Semiconductor

描述：2N2904A Series 60V 600mA 800mW Through Hole PNP Silicon Transistor - TO-39

替代型号2N2904A

型号/品牌

代替类型

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