2N2904A和JAN2N2904A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N2904A JAN2N2904A JANTX2N2904A

描述 2N2904A Series 60V 600mA 800mW Through Hole PNP Silicon Transistor - TO-39PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTORPNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-39-3 TO-39 TO-5-3

极性 - PNP PNP

耗散功率 600 mW 0.6 W 0.6 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 10V 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 120

额定功率(Max) 600 mW 800 mW 800 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 600 mW 600 mW 600 mW

增益频宽积 200 MHz - -

封装 TO-39-3 TO-39 TO-5-3

长度 9.4 mm - -

宽度 9.4 mm - -

高度 6.6 mm - -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台