2SD2150T100S

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2SD2150T100S概述

低频晶体管( 20V , 3A ) Low Frequency Transistor 20V, 3A

Bipolar BJT Transistor NPN 20V 3A 290MHz 500mW Surface Mount MPT3


得捷:
TRANS NPN 20V 3A MPT3


安富利:
Trans GP BJT NPN 20V 3A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 20V 3A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Win Source:
TRANS NPN 20V 3A SOT-89


2SD2150T100S中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 3.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 560

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-243

外形尺寸

宽度 2.5 mm

封装 TO-243

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD2150T100S
型号: 2SD2150T100S
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:低频晶体管( 20V , 3A ) Low Frequency Transistor 20V, 3A

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