2SD2195T100

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2SD2195T100概述

达林顿晶体管 DARL NPN 100V 2A

* Darlington connection for high DC current gain. * Built-in resistor between base and emitter. * Built-in damper diode. * Complements the 2SB1580 / 2SB1316.


得捷:
TRANS NPN DARL 100V 2A MPT3


贸泽:
达林顿晶体管 DARL NPN 100V 2A


安富利:
Trans Darlington NPN 100V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Win Source:
TRANS NPN DARL 100V 2A SOT-89


2SD2195T100中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 2.00 A

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 1000

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 MPT-3

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买2SD2195T100
型号: 2SD2195T100
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:达林顿晶体管 DARL NPN 100V 2A
替代型号2SD2195T100
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SD2195T100

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

2SD2170T100

罗姆半导体

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2SD2195T100和2SD2170T100的区别

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