2SD2212T100

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2SD2212T100概述

ROHM  2SD2212T100  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 80 MHz, 500 mW, 1 A, 1000 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 60V 2A 80MHz 2W Surface Mount MPT3


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2SD2212T100


得捷:
TRANS NPN DARL 60V 2A MPT3


e络盟:
ROHM  2SD2212T100  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 80 MHz, 500 mW, 1 A, 1000 hFE


安富利:
Trans Darlington NPN 70V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 70V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Win Source:
TRANS NPN DARL 60V 2A SOT-89


2SD2212T100中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 2.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 1000

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

宽度 2.5 mm

封装 SOT-89

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买2SD2212T100
型号: 2SD2212T100
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  2SD2212T100  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 80 MHz, 500 mW, 1 A, 1000 hFE

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