2N5089参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N5089概述

放大器晶体管 Amplifier Transistors

Amplifier Transistors

NPN Silicon

Features

•Pb−Free Packages are Available

得捷:
TRANS NPN 25V 0.05A TO92

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 50mA 30V NPN

艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk

2N5089中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 mA

极性 N-Channel

耗散功率 625 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 400 @100µA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： 2N5089

描述：放大器晶体管 Amplifier Transistors

替代型号2N5089