2SC3332T参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SC3332T概述

双极晶体管160V ， 0.7A ，低VCE （ sat）的NPN单NP Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCEsat NPN Single NP

Bipolar BJT Transistor NPN 160V 700mA 120MHz 700mW Through Hole 3-NP

得捷:
TRANS NPN 160V 0.7A 3NP

Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 3-Pin NP Bag

2SC3332T中文资料参数规格

技术参数

频率 120 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.7 W

击穿电压集电极-发射极 160 V

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 5V

额定功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC3332T

型号： 2SC3332T

描述：双极晶体管160V ， 0.7A ，低VCE （ sat）的NPN单NP Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCEsat NPN Single NP