TO-5 PNP 40V 1A
Bipolar BJT Transistor Through Hole TO-5
艾睿: Trans GP BJT PNP 40V 1A 3-Pin TO-5
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
数据手册
2N3778
Microsemi 美高森美
当前型号
3778
API Technologies
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