2SD2396K参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD2396K概述

晶体管， NPN Transistor, NPN

Bipolar BJT Transistor NPN 60V 3A 40MHz 2W Through Hole TO-220FN

得捷:
TRANS NPN 60V 3A TO220FN

Win Source:
TRANS NPN 60V 3A TO220

2SD2396K中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 3.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 1000 @500mA, 4V

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD2396K

型号： 2SD2396K

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管， NPN Transistor, NPN