2N5655参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N5655概述

塑料NPN硅高电压功率晶体管 Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor

- 双极 BJT - 单 NPN 10MHz 通孔 TO-225AA

得捷:
TRANS NPN 250V 0.5A TO126

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1A 250V 20W NPN

罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 250V 0.5A 3-Pin TO-225 Bulk

2N5655中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 25

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 20 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-225-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-225-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

最小包装 500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5655

型号： 2N5655

描述：塑料NPN硅高电压功率晶体管 Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor

替代型号2N5655