达林顿硅功率晶体管 Darlington Silicon Power Transistors
- 双极 BJT - 单 PNP - 达林顿 60 V 10 A - 2 W 通孔 TO-220AB
得捷:
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220
艾睿:
Trans Darlington PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
罗切斯特:
Trans Darlington PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 2000 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 3V
最大电流放大倍数hFE 20000
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N6667 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6667G 安森美 | 类似代替 | 2N6667和2N6667G的区别 |